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YXPHM-GaNHB01高功率密度氮化鎵半橋模塊

關(guān)鍵詞：

全橋MMC變流子模塊

高功率密度氮化鎵半橋模塊

所屬分類：

YXPHM-功率硬件模組

高功率密度氮化鎵半橋模塊多

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產(chǎn)品描述

一、概述YXPHM系列功率模塊簡(jiǎn)介

南京研旭公司最新研發(fā)推出了YXPHM系列工業(yè)級(jí)電力電子功率模塊，YXPHM系列模塊是面向高校實(shí)驗(yàn)室、科研院所以及成品電力電子制造廠商的系列功率拓?fù)淠K。具備穩(wěn)定的可靠性和良好的擴(kuò)展性，種類豐富，囊括了現(xiàn)今主流的電力電子拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。外殼采用透明的亞克力板材，美觀實(shí)用，用戶可以方便觀察內(nèi)部的硬件結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)潔的輸入輸出設(shè)計(jì)，減去用戶對(duì)模塊中間環(huán)節(jié)的困擾，讓用戶更專注的投入到核心研發(fā)中。

YXPHM系列采用基于模型設(shè)計(jì)的理念，脫胎于研旭成熟產(chǎn)品光伏并網(wǎng)逆變器與風(fēng)機(jī)變流器等成熟產(chǎn)品，又結(jié)合了研旭多年的模塊化組件與開(kāi)放式平臺(tái)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，對(duì)該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)電路、傳感器電路、信號(hào)處理電路進(jìn)一步集成，同時(shí)提供實(shí)際控制器接口、快速原型控制器結(jié)構(gòu)與實(shí)際控制器模塊，為用戶提供性價(jià)比更好的模塊化產(chǎn)品。

二、YXPHM-GaNHB01氮化鎵半橋模塊

作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件，氮化鎵（GaN）正在為電力工程行業(yè)帶來(lái)變革，它實(shí)現(xiàn)了以往硅 MOSFET 從未達(dá)到的高速度、高效率和更高功率密度。GaN 固有的較低柵極和輸出電容支持以兆赫茲級(jí)的開(kāi)關(guān)頻率運(yùn)行，同時(shí)降低柵極和開(kāi)關(guān)損耗，從而提高效率。不同于硅，GaN 不需要體二極管，因而消除了反向恢復(fù)損耗，并進(jìn)一步提高了效率、減少了開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴和 EMI。

寬禁帶半導(dǎo)體器件正迅速替代硅基半導(dǎo)體器件以在變流驅(qū)動(dòng)中實(shí)現(xiàn)更高的效率。GaN（氮化鎵）技術(shù)與其它寬禁帶技術(shù)相比成本較低，因此 GaN（氮化鎵）技術(shù)將主要用于 400V電源總線中，而 SiC（碳化硅）通常用于更高功率的高壓800V電源總線。